Model Karakteristik Kontak Logam Semikonduktor, Konsentrasi Muatan Dan Medan Listrik Di dalam Junction Logam Semikonduktor

Authors

  • Hubertus Ngaderman Universitas Cenderawasih
  • Ego Srivajawaty Sinaga Universitas Cenderawasih

DOI:

https://doi.org/10.31957/jfp.v1i2.10

Keywords:

kontak logam semikonduktor

Abstract

Telah dilakukan pemodelan karakteristik untuk logam dan semikonduktor pada saat mereka dihubungkan secara kontak intim. Muatan dan distribusi medan juga ditampilkan di dalam pemodelan ini, dimana grafik antara luas wilayah muatan dan konsentrasi muatan dan juga medan listrik di dalam junktion telah divisualisasi.  Tujuan penelitian ini adalah visualisasi untuk kontak antara logam dan semikonduktor, dimana kontak tersebut adalah kontak mikroskopis yang melibatkan pita-pita energi antara dua material. Untuk menampilkan visualisasi tersebut maka beberapa parameter utama akan terlibat yaitu: pita konduksi, pita valensi, pita gap, level-level Fermi, level vakum, fungsi kerja logam, fungsi kerja semikonduktor, afinitas elektron semikonduktor, afinitas elektron logam, ketinggian penghalang dan potensial built-in. Visualisasi tersebut adalah meliputi keadaan dimana kedua material tersebut terisolasi maupun dikontakkan (tak terisolasi).

References

Sze. S. M., Ng. K. K,. 2021. Physics of Semiconductor Devices. Third Edition. Wiley Interscience. A John Wiley & Sons, Inc., Publication.

Rohma, S. 2015. Analisis sebaran kesuburan tanah dengan metode potensial diri (self potential): Studi kasus daerah pertanian Bedengan Malang. Undergraduate thesis, Universitas Islam Negeri Maulana Malik Ibrahim.

Dearneal et al. 1973. “Ion Implansacion” North-Holland Publishing Company. Vol. 8

Reka Rio. 1980. Fisika dan Teknologi Semikonduktor. PT. Pradya Paramita.

Downloads

Published

2022-08-29

How to Cite

Ngaderman, H., & Sinaga, E. S. (2022). Model Karakteristik Kontak Logam Semikonduktor, Konsentrasi Muatan Dan Medan Listrik Di dalam Junction Logam Semikonduktor. Jurnal Fisika Papua, 1(2), 73–80. https://doi.org/10.31957/jfp.v1i2.10

Most read articles by the same author(s)